تصویر
|
|
|
| محصول |
اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل M.2 NVME 990 EVO Plus
|
فن کیس ایسوس مدل TUF Gaming TF120 ARGB
|
|
ظرفیت
|
1 ترابایت
|
|
|
نوع رابط
|
ام2 - M.2
|
|
|
سرعت خواندن اطلاعات
|
7150 مگابایت بر ثانیه
|
|
|
سرعت نوشتن اطلاعات
|
6300 مگابایت بر ثانیه
|
|
|
نوع حافظه فلش
|
Samsung V-NAND TLC
|
|
|
نوع کنترل کننده
|
Samsung in-house
|
|
|
میانگین طول عمر
|
1.500.000 ساعت
|
|
|
مقاوم در برابر شوک
|
دارد
|
|
|
سایر مشخصات
|
CACHE MEMORY : HMB(Host Memory Buffer)
|
|
|
نورپردازی
|
|
ARGB
|
|
سایز فن
|
|
120 میلی متر
|
|
سرعت چرخش فن
|
|
1900 دور بر دقیقه
|
|
تعداد پره های فن
|
|
7
|
|
کنترل سرعت چرخش فن PWM
|
|
دارد
|
|
قابلیت جداسازی پره ها
|
|
دارد
|
|
جریان هوای فن
|
|
76CFM
|
|
فشار هوای فن
|
|
2.5mm/H2O
|
|
میزان نویز فن
|
|
حداکثر 29dBA
|
