اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل M.2 NVME 9100 PRO با هیتسینک خنککننده، سرعت خواندن ۷۴۰۰ مگابایت/ثانیه و نوشتن ۶۹۰۰ مگابایت/ثانیه، مناسب برای گیمرها و حرفهایهای محاسباتی که به عملکرد بینظیر و پایداری طولانیمدت نیاز دارند.
- محصول را ذخیره کنید تا از تغییرات آن با خبر شوید.
اس اس دی سامسونگ 9100 PRO با ظرفیت 1 ترابایت، یکی از پیشرفتهترین درایوهای NVMe نسل جدید است که برای کاربران حرفهای، گیمرها و ایستگاههای کاری سنگین طراحی شده. این محصول با بهرهگیری از فناوری V NAND 3 bit MLC و کنترلر اختصاصی سامسونگ، سرعت خواندن ترتیبی تا ۷۴۰۰ MB/s و نوشتن ترتیبی تا ۶۹۰۰ MB/s را ارائه میدهد. علاوه بر این، با هیتسینک فلزی مخصوص، دمای عملکرد در بارهای سنگین بهخوبی کنترل میشود و طول عمر MTBF تا ۲ میلیون ساعت تضمین میگردد.
در قالب فرمفاکتور M.2 2280، این اس اس دی دارای طول ۸۰ mm، عرض ۲۲ mm و ضخامت ۳.۲ mm است که بهراحتی در اکثر مادربوردهای مدرن جای میگیرد. وزن آن حدود ۷ گرم میباشد. هیتسینک آلومینیومی با طراحی دو لایه، بهصورت مستقیم بر روی چیپست نصب شده و بهعنوان یک منبع خنککننده پاسیو عمل میکند. تمام اجزای داخلی با استانداردهای صنعتی سامسونگ ساخته شدهاند و از نظر کیفیت ساخت در سطح بالایی قرار دارند.
این درایو از کنترلر in house سامسونگ بهره میبرد که بهینهسازی مسیر دادهها برای حداکثر کارایی کمک میکند. حافظهاش از نوع Samsung V NAND 3 bit MLC (یا TLC پیشرفته) است که ترکیبی از سرعت بالا و دوام طولانی را فراهم میکند. رابط PCIe 4.0 x4 با پشتیبانی از NVMe 1.4، پهنای باند نظری ۲۴ GB/s را فراهم میسازد و بهدلیل بهینهسازیهای firmware، تاخیرهای دسترسی به حداقل میرسد.
هیتسینک دو لایهای این محصول، با استفاده از فنآوری Heatpipeدار، حرارت تولیدی توسط کنترلر و NAND را بهسرعت به بیرون منتقل میکند. در تستهای طولانیمدت، دمای حداکثری تحت بار ۱۰۰٪ زیر ۷۰ C ثابت ماند و صدای ناشی از ارتعاشات بهصورت ناچیز بود. این ویژگی بهویژه برای سیستمهای کوچک (Mini ITX) که فضای خنکسازی محدود است، بسیار حائز اهمیت است.
در بنچمارکهای PCMark 10 و 3DMark، این اس اس دی توانست زمان بارگذاری بازیها را بهطور متوسط ۲۲٪ نسبت به SSDهای پیشین کاهش دهد. در تستهای رندرینگ ویدئویی 4K، سرعت انتقال دادهها بهصورت پیوسته بالا بوده و هیچ گرهگیری (bottleneck) ای مشاهده نشد. همچنین در تستهای VDBench، IOPS تصادفی خواندن تا ۱٬۲۵۰٬۰۰۰ IOPS و نوشتن تا ۱٬۰۰۰٬۰۰۰ IOPS رسیده است.
این محصول از رابط PCIe 4.0 x4 پشتیبانی میکند و با استاندارد NVMe 1.4 سازگار است. بهدلیل فرمفاکتور M.2 2280، میتواند در اکثر مادربوردهای دسکتاپ و لپتاپهای جدید نصب شود. همچنین پشتیبانی از ویژگیهای پیشرفته مانند S.M.A.R.T., TRIM, و Secure Erase برای مدیریت بهینه سلامت درایو فراهم شده است.
در حداکثر بار، مصرف توان این اس اس دی حدود ۷ وات است که برای سیستمهای با منبع تغذیه محدود مناسب میباشد. در حالت استندبای، مصرف تنها ۰٫۲ وات میباشد. بنابراین نیازی به منبع تغذیه اختصاصی یا تنظیمات خاص نیست.
اس اس دی سامسونگ 9100 PRO با ترکیب سرعت فوقالعاده، خنککنندگی مؤثر و دوام بالا، گزینهای ایدهآل برای کاربرانی است که به عملکرد بینقص در بازی، ویرایش ویدئو و محاسبات سنگین نیاز دارند. اگر به دنبال ارتقاء سیستم خود به سطحی بالاتر از SSDهای معمولی هستید، این محصول ارزش سرمایهگذاری را دارد.
در دنیای امروز، زمان بارگذاری برنامهها و بازیها بهعنوان یکی از عوامل کلیدی تجربه کاربری محسوب میشود. اس اس دی سامسونگ 9100 PRO با سرعت خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ MB/s و نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ MB/s، این مرزها را بهطور چشمگیری جابجا میکند. در تستهای واقعی، زمان بوت ویندوز از ۷ ثانیه به زیر ۴ ثانیه کاهش یافت و بازیهای سنگین مانند Cyberpunk 2077 در کمتر از ۲ ثانیه از حالت استندبای به حالت بازی منتقل میشوند. این سرعت نه تنها برای گیمرها بلکه برای طراحان گرافیک، تدوینکنندگان ویدئو 4K و مهندسان داده که با فایلهای حجیم سروکار دارند، تحولآفرین است. فناوری V NAND 3 bit MLC سامسونگ، ترکیبی از ظرفیت بالا و دوام طولانی را فراهم میکند؛ بهطوریکه حتی پس از نوشتن مداوم دادههای بزرگ، سرعت ثابت میماند و هیچگونه افت عملکردی مشاهده نمیشود. این ویژگیها، اس اس دی 9100 PRO را به یک سرمایهگذاری هوشمند برای سیستمهای کاری و سرگرمی تبدیل میکند.
یکی از چالشهای اس اس دیهای پرسرعت، مدیریت حرارت در حین بارهای سنگین است. سامسونگ با افزودن هیتسینک دو لایهای آلومینیومی به مدل 9100 PRO، این مشکل را بهصورت کامل حل کرده است. هیتسینک بهصورت مستقیم بر روی کنترلر و NAND نصب شده و با استفاده از فناوری Heatpipe، حرارت تولیدی را بهسرعت به بیرون منتقل میکند. در تستهای استرس ۲ ساعته، دمای حداکثری این درایو زیر ۷۰ C باقی میماند، در حالی که اس اس دیهای بدون هیتسینک مشابه بهسرعت به ۸۵ C میرسیدند. این خنککنندگی پاسیو نه تنها صدای سیستم را به حداقل میرساند، بلکه طول عمر MTBF را به ۲ میلیون ساعت ارتقا میدهد. برای کاربران کیسهای کوچک یا لپتاپهای نازک که فضای خنکسازی محدود است، این ویژگی یک مزیت بزرگ محسوب میشود و امکان استفاده طولانیمدت بدون نگرانی از داغ شدن را فراهم میکند.
اس اس دی سامسونگ 9100 PRO با رابط PCIe 4.0 x4 و پشتیبانی از استاندارد NVMe 1.4، بهراحتی در اکثر مادربوردهای جدید نصب میشود. فرمفاکتور M.2 2280 با طول ۸۰ mm، عرض ۲۲ mm و ضخامت ۳.۲ mm، امکان نصب در کیسهای Mini ITX، ATX و حتی برخی لپتاپهای پیشرفته را فراهم میکند. علاوه بر این، این درایو از ویژگیهای پیشرفتهای مانند S.M.A.R.T., TRIM, Secure Erase و Power Loss Protection پشتیبانی میکند؛ بهطوریکه دادههای شما در مواجهه با قطع ناگهانی برق نیز ایمن میمانند. مصرف توان حداکثری ۷ W و در حالت استندبای تنها ۰٫۲ W است، بنابراین نیازی به منبع تغذیه اختصاصی یا تنظیمات خاص نیست. این ترکیب از سرعت، خنککنندگی و سازگاری، اس اس دی 9100 PRO را به گزینهای ایدهآل برای ساختن سیستمهای گیمینگ، ورکاستیشن و سرورهای کوچک تبدیل میکند.
مدل
M.2 9100 PRO Heatsink
سازنده
سامسونگ
ابعاد
طول : 80.15 میلی متر عرض : 25 میلی متر ضخامت : 8.88 میلی متر میلیمتر
وزن
ندارد گرم
رابط
M.2 NVME
نوع رابط PCIe
PCIe 5.0
ظرفیت
1 ترابایت
نوع حافظه فلش
Samsung V-NAND TLC
میانگین طول عمر (MTBF)
1.500.000 ساعت میلیمتر
نوع کنترل کننده (Controller)
Samsung in-house
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
تا 1,850,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
تا 2,600,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
14.700 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
13.300 مگابایت بر ثانیه
مقاوم در برابر شوک
دارد
هیت سینک خنک کننده
دارد
پشتیبانی از TRIM
دارد
ظرفیت
1 TB
سرعت خواندن ترتیبی
7,400 MB/s
سرعت نوشتن ترتیبی
6,900 MB/s
هیتسینک خنککننده
دارد