اس اس دی سامسونگ 990 EVO مدل M.2 NVMe 2 ترابایت، با سرعت خواندن ترتیبی تا ۷۴۵۰ مگابایت/ثانیه و نوشتن ۶۹۰۰ مگابایت/ثانیه، پشتیبانی از PCIe 4.0 4، V NAND 3 bit MLC و کنترلر داخلی سامسونگ؛ گزینهای ایدهآل برای کاربرانی که به عملکرد بینظیر و قابلیت اطمینان بالا نیاز دارند.
موجود در انبار
اس اس دی سامسونگ 990 EVO نسل جدیدی از درایوهای NVMe است که با هدف ترکیب عملکرد بالا، کارایی انرژی و هزینه مناسب طراحی شده است. این محصول با ظرفیت ۲ ترابایت، برای کاربران حرفهای، گیمرها و خالقان محتوا که به سرعت بارگذاری برنامهها، رندرینگ سریع و انتقال دادههای حجیم نیاز دارند، گزینهای جذاب محسوب میشود. سامسونگ با بهرهگیری از فناوری V NAND 3 bit MLC و کنترلر داخلی خود، توانسته تعادل بین سرعت و دوام را بهبود بخشد.
بدنه این اس اس دی از آلومینیوم ترکیبی با پوشش حرارتی استفاده میکند که به کاهش دما در حین کارهای سنگین کمک میکند. طراحی کمحجم آن امکان نصب در انواع لپتاپهای نازک و دسکتاپهای کوچک را فراهم میسازد.
این ترکیب باعث میشود تا 990 EVO بتواند سرعتهای خواندن و نوشتن بسیار بالایی را ارائه دهد، در حالی که مصرف انرژی بهینهسازی شده است.
سامسونگ با افزودن هیتسینک آلومینیومی و لایههای حرارتی پیشرفته، دمای عملیاتی اس اس دی را زیر ۶۰ C حتی در بارهای پیوسته حفظ میکند. این امر نه تنها عمر مفید دستگاه را افزایش میدهد، بلکه نویز الکترونیکی را به حداقل میرساند.
در تستهای PCMark 10 و VDBench، 990 EVO با امتیازهای بالایی در بخشهای Storage و Gaming ظاهر شد. زمان بارگذاری بازیها بهطور متوسط ۲٫۵ ثانیه کاهش یافت و زمان رندرینگ پروژههای 4K در نرمافزارهای ویدئویی تا ۲۲٪ سریعتر شد.
این درایو بهراحتی در اسلاتهای M.2 موجود در لپتاپهای گیمینگ و ایستگاههای کاری نصب میشود.
به دلیل مصرف پایین، نیازی به منبع تغذیه خاص یا تنظیمات ویژه در BIOS نیست؛ اما توصیه میشود که اسلات M.2 در حالت PCIe 4.0 فعال باشد.
اس اس دی سامسونگ 990 EVO M.2 NVMe 2 TB ترکیبی از سرعت، دوام و کارایی انرژی است که برای کاربران حرفهای و گیمرها بهویژه در سیستمهای جدید با پشتیبانی از PCIe 4.0 گزینهای بسیار مناسب محسوب میشود. با توجه به قیمت مناسب، این محصول میتواند جایگزین مناسبی برای SSDهای پرسرعت ولی گرانقیمت باشد و تجربه کاربری روان و بدون تاخیر را تضمین کند.
در دنیای امروز، هر ثانیهای که برای بارگذاری یک برنامه یا انتقال یک فایل صرف میشود، میتواند بر بهرهوری کاربر تأثیرگذار باشد. اس اس دی سامسونگ 990 EVO با سرعت خواندن ترتیبی تا ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه و نوشتن ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه، این فاصله را بهطور چشمگیری کاهش میدهد. این سرعتها نه تنها در تستهای بنچمارکهای صنعتی مانند PCMark 10 و VDBench بهخوبی نشان داده شدهاند، بلکه در استفاده روزمره نیز حس واضحی از روانی و سرعت را به کاربر منتقل میکنند. برای گیمینگ، زمان بارگذاری سطوح بازیها بهطور متوسط ۲٫۵ ثانیه کاهش مییابد و برای خالقان محتوا، رندرینگ ویدئوهای 4K با نرمافزارهای پیشرفته بهسرعتی نزدیک به دو برابر سرعت قبلی میرسد. این عملکرد فوقالعاده حاصل از ترکیب V NAND 3 bit MLC و کنترلر داخلی سامسونگ است که بهصورت بهینه از پهنای باند PCIe 4.0 4 بهره میبرد. علاوه بر این، فناوریهای پیشرفتهای مانند NVMe Direct و پشتیبانی از NVMe 1.4 باعث میشود تا تاخیرهای دسترسی به حداقل برسد و تجربهای بینقص برای کاربران فراهم شود. در مجموع، 990 EVO نه تنها یک اس اس دی سریع است، بلکه یک ابزار تحولساز برای هر سیستمی است که به عملکرد بینظیر نیاز دارد.
یکی از مهمترین معیارهای انتخاب اس اس دی، دوام و طول عمر آن است. سامسونگ با استفاده از فناوری V NAND 3 bit MLC، تراکم سلولهای حافظه را بهگونهای بهینه کرده که هم سرعت بالا را حفظ کند و هم مقاومت در برابر سایش را افزایش دهد. برای مدل ۲ ترابایت، مقدار TBW (Total Bytes Written) برابر با ۱,۲۰۰ TB است که نشاندهنده توانایی نوشتن مداوم دادهها بهصورت طولانیمدت بدون کاهش عملکرد میباشد. علاوه بر این، اس اس دی 990 EVO از فناوریهای پیشرفتهای مانند هیتسینک آلومینیومی و لایههای حرارتی بهره میبرد که دمای عملیاتی را حتی در بارهای سنگین زیر ۶۰ C نگه میدارند. این ویژگی نه تنها عمر مفید دستگاه را افزایش میدهد، بلکه خطر بروز خطاهای حرارتی را بهحداقل میرساند. همچنین پشتیبانی کامل از TRIM و S.M.A.R.T به کاربر امکان مانیتورینگ سلامت درایو را میدهد و اطمینان میکند که هر زمان نیاز به تعمیر یا تعویض باشد، هشدارهای دقیق دریافت میشود. بهعبارت دیگر، 990 EVO ترکیبی از سرعت و دوام است که برای کاربرانی که بهصورت روزانه حجم بالایی از دادهها را مینویسند (مانند تدوینکنندگان ویدئو، طراحان گرافیک و برنامهنویسان) ایدهآل میباشد.
مدل
990 EVO
سازنده
سامسونگ
ابعاد
طول : 80 میلی متر عرض : 22 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر میلیمتر
وزن
9 گرم گرم
رابط
M.2 NVME
نوع رابط PCIe
PCIe 4.0
ظرفیت
2 ترابایت
نوع حافظه فلش
Samsung V-NAND TLC
میانگین طول عمر (MTBF)
1.500.000 ساعت میلیمتر
نوع کنترل کننده (Controller)
Samsung In-house
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
UP TO 700,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
UP TO 800,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
4200 مگابایت بر ثانیه
مقاوم در برابر شوک
دارد
هیت سینک خنک کننده
ندارد
پشتیبانی از TRIM
دارد